平成２４年（ワ）第１４２２７号 損害賠償請求事件
１．概要
本件は特許権侵害訴訟（損害賠償請求事件）の第一審において、原告（特許権者）の請求が認められた事例である。本件特許は半導体の製造法に関するものであり、「実質的に水素を含まない雰囲気中」（構成要件B）においてアニーリング（焼きなまし）を行うことを特徴のひとつとしており、この構成要件Bによって、「ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層から水素を出す」（構成要件D）という作用を奏する。
被告方法では、アニーリングを「１．３％のアンモニアを含む窒素ガスとアンモニアガスの混合雰囲気中」で行う。アンモニアは水素原子を含んでいるため、被告方法の雰囲気は水素を含む雰囲気である。本件訴訟では、この被告方法の雰囲気が「実質的に水素を含まない」といえるか否かが争われた。被告は、「通常の方法で除去することができない程度にしか水素を含まない雰囲気を意味する」と主張した。
裁判所は、構成要件Bは「文字通り水素を全く含まない雰囲気ではなく，水素を含んでいても，その内容や本質において，水素を含まないと認められる雰囲気」であり、本発明の作用効果を奏するような雰囲気，すなわち、アニーリングにより低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を得ることの妨げにならない程度にしか水素を含まない雰囲気を意味する、と解釈した。そして、被告方法における雰囲気はアンモニアとして水素原子を含むが、本発明の作用効果を妨げるほどの水素は含んでいないため構成要件Bを充足する、と判断した。
なお特許明細書には「アニーリング雰囲気中にＮＨ3，Ｈ2等の水素原子を含むガスを使用することは好ましくない。」という記載があり、ＮＨ3（アンモニア）を使用した雰囲気は除外しているようにも見えるが、裁判所は、この記載は「好ましくない」範囲を記載しているだけであって、アンモニアを使用した雰囲気を除外しているわけではない、と判断した。
２．本件特許
原告が有する特許権の訂正後の請求項１に係る発明（本件発明）を分説すると以下のとおりである：Ａ 気相成長法により，ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体を成長させた後，
Ｂ 実質的に水素を含まない雰囲気中，
Ｃ ４００℃以上の温度でアニーリングを行い，
Ｄ 上記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層から水素を出す
Ｅ ことを特徴とするｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
３．被告方法
被告方法は，ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）により，Ｍｇがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体を成長させた後，１．３％のアンモニアを含む窒素ガスとアンモニアガスの混合雰囲気中，４００度以上の温度でアニーリングを行うことが認められる。また，アンモニアの流量比が２．５％未満の雰囲気において，４００℃以上でアニーリングすると，水素パッシベーション（水素結合）を発生させることなく，窒化物半導体がｐ型化する。被告方法は，１．３％のアンモニアを含む雰囲気中，４００℃以上の温度でアニーリングを行い，Ｍｇがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体から水素を離脱させる。
４．争点
被告方法における「１．３％のアンモニアを含む窒素ガスとアンモニアガスの混合雰囲気」が、本件特許での構成要件B「実質的に水素を含まない雰囲気」を充足するか否かが争点のひとつ。
５．裁判所の判断のポイント
「被告方法が本件発明の構成要件Ｂ及びＤを充足するか。
ア 本件発明の構成要件Ｂについて
(ア) ・・・(ｅ)本件発明のｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は，気相成長法により，ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を形成した後，実質的に水素を含まない雰囲気中，４００℃以上の温度でアニーリングを行い，上記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層から水素を出すことを特徴とするものであり，これにより，従来ｐ型不純物をドープしても低抵抗なｐ型にならなかった窒化ガリウム系化合物を低抵抗なｐ型にすることができるので，数々の構造の素子を製造することができ，また，従来の電子線照射による方法では最上層の極表面しか低抵抗化することができなかったが，アニーリングによってｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層全体をｐ型化することができるので，面内均一に，かつ，深さ方向均一にｐ型化することができ，しかも，どこの層にでもｐ型層を形成することができ，さらに，厚膜の層を形成することができるので，高輝度な青色発光素子を得ることができるという作用効果を奏する，以上の事実が認められる。(イ) 「実質」とは，「物事の内容または本質」を意味し，「実質的」とは，「実際に内容が備わっているさま。また，外見や形式よりも内容・実質に重点をおくこと。」を意味する（広辞苑第六版）から，構成要件Ｂの「実質的に水素を含まない雰囲気」との文言は，文字通り水素を全く含まない雰囲気ではなく，水素を含んでいても，その内容や本質において，水素を含まないと認められる雰囲気をいうと解される。
そして，証拠（甲２の３）によれば，本件明細書の発明の詳細な説明には，「【０００９】アニーリング（Annealing：焼きなまし）はｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を形成した後，反応容器内で行ってもよいし，ウエハーを反応容器から取り出してアニーリング専用の装置を用いて行ってもよい。アニーリング雰囲気は真空中，Ｎ2，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ等の不活性ガス，またはこれらの混合ガス雰囲気中で行い，最も好ましくは，アニーリング温度における窒化ガリウム系化合物半導体の分解圧以上で加圧した窒素雰囲気中で行う。なぜなら，窒素雰囲気として加圧することにより，アニーリング中に，窒化ガリウム系化合物半導体中のＮが分解して出て行くのを防止する作用があるからである。」，「【００２１】アニーリングにより低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半導体が得られる理由は以下のとおりであると推察される。【００２２】即ち，窒化ガリウム系化合物半導体層の成長において，Ｎ源として，一般にＮＨ3が用いられており，成長中にこのＮＨ3が分解して原子状水素ができると考えられる。この原子状水素がアクセプター不純物としてドープされたＭｇ，Ｚｎ等と結合することにより，Ｍｇ，Ｚｎ等のｐ型不純物がアクセプターとして働くのを妨げていると考えられる。このため，反応後のｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体は高抵抗を示す。【００２３】ところが，成長後アニーリングを行うことにより，Ｍｇ－Ｈ，Ｚｎ－Ｈ等の形で結合している水素が熱的に解離されて，ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層から出て行き，正常にｐ型不純物がアクセプターとして働くようになるため，低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半導体が得られるのである。従って，アニーリング雰囲気中にＮＨ3，Ｈ2等の水素原子を含むガスを使用することは好ましくない。また，キャップ層においても，水素原子を含む材料を使用することは以上の理由で好ましくない。」との記載があることが認められる。これらの記載に前記(ア)認定の事実を併せ考えると，本件発明は，アニーリングという技術手段を採用して，これにより，ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体から水素を出すという作用が生じ，ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体が製造されるという効果が得られるというものである。そして，この場合のアニーリング雰囲気は，真空中，Ｎ2，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ等の不活性ガス又はこれらの不活性ガスの混合ガス雰囲気中で行うのが好ましく，さらに，アニーリング温度における窒化ガリウム系化合物半導体の分解圧以上で加圧した窒素雰囲気中で行うのが最も好ましいとされる。これに対し，アニーリング雰囲気中にＮＨ3，Ｈ2等の水素原子を含むガスを使用したりキャップ層に水素原子を含む材料を使用することは，ｐ型不純物に結合した水素原子を熱的に解離するというｐ型のための反応が進行せず，上記作用効果を奏しないことがあるので好ましくないとされるが，逆に，ｐ型不純物に結合した水素原子を熱的に解離するというｐ型化のための反応が進行して，上記作用効果を奏することもあると考えられることから，アニーリング雰囲気中にＮＨ3，Ｈ2等の水素原子を含むガスを使用したり，キャップ層に水素原子を含む材料を使用することが排除まではされていないということができる。
そうであれば，構成要件Ｂの「実質的に水素を含まない雰囲気」とは，このような作用効果を奏するような雰囲気，言い換えれば，アニーリングにより低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を得ることの妨げにならない程度にしか水素を含まない雰囲気を意味するものと解するのが相当である。
(ウ) 被告は，次のように主張して，構成要件Ｂの「実質的に水素を含まない雰囲気」が通常の方法で除去することができない程度にしか水素を含まない雰囲気を意味するとする。
ａ 被告は，本件明細書の実施例におけるアニーリング雰囲気は窒素雰囲気又はアルゴンと窒素との混合ガス雰囲気であり，本件明細書中にアニーリング雰囲気中に水素を含むことを許容する記載はないと主張する。
証拠（甲２の３）によれば，本件明細書の発明の詳細な説明には，６の実施例が掲げられていて，そのうちの実施例１及び３ないし６では，窒素雰囲気中でアニーリングを行い，実施例２では窒素とアルゴンの混合ガス雰囲気中でアニーリングを行っていること（段落【００２４】ないし【００４１】）が認められる。しかしながら，実施例は発明の好ましい態様を開示したものであって，特許発明の技術的範囲が実施例に限定されるわけではないし，本件明細書の発明の詳細な説明の段落【００２３】には，アニーリング雰囲気中に水素原子を含むガスを使用することが「好ましくない」と記載されているものの，水素を含む雰囲気中でのアニーリングが排除されていないことは，前示のとおりである。
被告の上記主張は，採用することができない。
・・・
(エ) 被告方法は，１．３％のアンモニアを含む雰囲気中でアニーリングを行い，これにより，ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を製造するのであって，アニーリング雰囲気中の１．３％のアンモニアから生じる水素原子は，窒化ガリウム系化合物半導体をｐ型化することを妨げていない。
そうであるから，被告方法は，アニーリングにより低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を得ることの妨げにならない程度にしか水素を含まない雰囲気中でアニーリングを行うものであって，本件発明の構成要件Ｂを充足する。」
